DB-FIB (haz de iones enfocado-doble haz)

DB-FIB (haz de iones enfocado-doble haz)
Detalles:
GRGTEST Metrology proporciona servicios profesionales de análisis de haz de iones enfocados de doble-haz (DB-FIB). Los servicios de prueba populares incluyen secciones de muestra TEM para procesos avanzados (14 nm y menos), análisis de puntos de acceso FA (incluido el análisis de defectos de sección transversal-de punto de acceso capturado mediante diferentes métodos como OBIRCH) y mecanizado de sección transversal-de punto fijo-convencional.
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Descripción
Parámetros técnicos

Contenido/alcance del servicio y elementos de prueba

 

a. Muestras de secciones delgadas-TEM

Una aplicación importante de la microscopía de haz de iones enfocado-de doble haz (DB-FIB) es la preparación de muestras ultrafinas para microscopía electrónica de transmisión (TEM). GRGTEST Metrology puede proporcionar los siguientes elementos de prueba para esta aplicación:

 

Contenido del servicio

Artículo de prueba

Unidad de cotización

Tipo de muestra

Muestra XS a base de silicio (Si) (sección transversal) Preparación de muestras

Cada uno (ea)

Chips de proceso avanzado a 14 nm y menos; chips de 28 nm, 40 nm, 55 nm y superiores

Preparación de muestras de PV de muestra a base de silicio (Si) (vista en plano-)

Cada uno (ea)

Chips de proceso avanzado a 14 nm y menos; chips de 28 nm, 40 nm, 55 nm y superiores

Preparación de muestras XS (sección transversal) sin-basada en silicio

Hora (horas)

Muestras sin base de silicio, incluido el arseniuro de galio (GaAs), el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC), etc.

Preparación de muestras de PV de muestra sin-basado en silicio (vista de plan-)

Hora (horas)

Muestras sin base de silicio, incluido el arseniuro de galio (GaAs), el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC), etc.

Preparación de muestras especiales

Hora (horas)

Varias muestras de materiales nuevos, incluidos materiales para baterías de litio, materiales para electrodos de grafeno, etc.

 

b. Análisis de sección transversal-del punto de acceso de FA

Artículo de prueba

Unidad de cotización

Tipo de muestra

Análisis de sección cruzada-de puntos de acceso FA (incluidos los puntos de acceso capturados mediante métodos como OBIRCH; hay disponibles-pruebas integrales que incluyen la captura de puntos de acceso)

Hora (horas)

Muestras de semiconductores: Wafer, IC, componentes, MEMS, láseres, etc.

 

do. Procesamiento de secciones transversales-convencionales

Artículo de prueba

Unidad de cotización

Tipo de muestra

Procesamiento de secciones transversales-dirigido

Hora (horas)

Muestras de semiconductores: oblea, circuitos integrados, componentes, PCB, MEMS, láseres, etc.; otras muestras que no sean semiconductores

Procesamiento de secciones transversales no-dirigidas-

Hora (horas)

Muestras de semiconductores: oblea, circuitos integrados, componentes, PCB, MEMS, láseres, etc.; otras muestras que no sean semiconductores

 

Ciclo de prueba

 

El ciclo de prueba estándar es de 3 días calendario. Para requerimientos especiales, podemos brindar cotizaciones con diferentes tiempos de respuesta de 48h, 24h y 12h.

 

Nuestras ventajas

 

Los miembros del equipo de GRGTEST Measurement poseen experiencia relevante en procesos avanzados de fabricación de obleas. Nos adherimos a un enfoque-centrado en el cliente y nos comprometemos a proporcionar servicios de pruebas precisos, oportunos e integrales.

GRGTEST Measurement es la mayor empresa de pruebas-de terceros-propiedad estatal que cotiza en China. Nuestra plataforma tiene un mecanismo de gestión sólido y capacidades integrales de prueba y análisis de procesos-completos, lo que nos permite ofrecer a los clientes análisis oportunos y autorizados para proyectos completos.

 

Requisitos de muestra

 

Anhidro; las muestras no deben contener ningún componente líquido; estable bajo irradiación con haz de iones (algunas muestras orgánicas no pueden detectarse); Las dimensiones generalmente no exceden los 10 cm * 10 cm * 5 cm (largo * ancho * alto).

 

 

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